ELEKTRO FORUM

Hallo zusammen,

ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter.
Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand? Ich habe mir
bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen
Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor - andere nicht. Bisher
konnte ich weder einen Zusammenhang erkennen noch anderswo eine
Erkl

Hallo Mark,

Mark Neugebauer <NOSPAM.Mark.Neugebauer@gmx.de> wrote:

> ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter.
> Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand?

Es gibt Konstellationen in denen der MosFET durch die Gate-
Drain Kapazität eine negative Impedanz an dem Gate erzeugt.
Damit fängt der parasitäre Schwingkreis aus Zuleitungsindukti-
vität und den verschiedenen Kapazitäten an zu schwingen.
Das bedämpft man nun mit den Gate Widerständen.
Es gibt Ingenieure die diese Angstwiderstände weg lassen weil
der Treiber nah genug am Gate sitzt und hoffentlich genug
dämpft.
Aber ganz genau vorhersagen kann man das Verhalten nicht
und deswegen findet man oft kleine Gate Vorwiderstände.

> Ich habe mir
> bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen
> Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor

Das erscheint mir viel zu viel. Üblich sind wenige Ohm bis vielleicht
10 Ohm. Man möchte ja den MosFET sehr schnell umschalten und der
Widerstand verhindert dies weil er mit der Gate-Source Kapazität
ja ein RC-Glied bildet.
Schaltet man nicht oft und muss man auch nicht auf die Verluste
beim Umschalten rücksicht nehmen, kann man natürlich auch
sehr große Gate-Widerstände verwenden. Dann macht der Einsatz
von Gate-Treibern aber gar keinen Sinn mehr und man kann
gleich irgendwelche Logik-Gatter missbrauchen.

Viele Grüße,
Martin L.

Mark Neugebauer schrieb:
> ich verwende einen (MOS)FET - in diesem Fall P-Kanal - als Schalter.
> Welche Bedeutung hat in diesem Fall der Gate-Widerstand? Ich habe mir
> bereits zahlreiche Beispielschaltungen angesehen. Einige sehen einen
> Gate-Widerstand im Bereich von 1k bis 10k vor - andere nicht. Bisher
> konnte ich weder einen Zusammenhang erkennen noch anderswo eine
> Erkl

Thorsten Wahn schrieb:
> Mark Neugebauer schrieb:
> Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der
> Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme zu
> vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET

Ein weiterer nicht zu vernachlässigender Aspekt ist der, dass die
treibende Stufe nicht überlastet werden darf. Zum Umschaltzeitpunkt
fliesst ein nahezu beliegig grosser Strom zur Umladung in die
GS-Kapazität, der durch ebendiesen Vorwiderstand begrenzt wird.


Gruss Udo

Udo Piechottka wrote:
> Thorsten Wahn schrieb:
>> Mark Neugebauer schrieb:
>> Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der
>> Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme
zu
>> vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET
>
> Ein weiterer nicht zu vernachlässigender Aspekt ist der, dass die
> treibende Stufe nicht überlastet werden darf. Zum Umschaltzeitpunkt
> fliesst ein nahezu beliegig grosser Strom zur Umladung in die
> GS-Kapazität, der durch ebendiesen Vorwiderstand begrenzt wird.
>

Fuer den FET gelten oft ebenfalls Grenzen. Man will ja nicht peu a peu
das Gate abrauchen lassen.

--
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/

Hallo zusammen,

vielen Dank f