ELEKTRO FORUM

"MaWin" <me@private.net> schrieb im Newsbeitrag
news:epn4rn$6tt$1@online.de...
| "Oliver Bartels" <spamtrap@bartels.de> schrieb im Newsbeitrag
| news:lmptr2tn8vupvceoe9c91od9hmjae70ski@4ax.com...
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| > - Die Treiberleistung dürfte zum zu schaltenden Eingangstrom
| > durchaus proportional sein (egal ob MOSFET oder Bipolar,
| > da Wechselspannung).
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| Nein, sie ist bei MOSFET zur Taktfrequenz linear.

Und abhängig vom Drain-Strom!

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| > - Die Verluste steigen mit dem zu schaltenden Strom.
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| Zwar steigt auch die Gatekapazitaet mit der MOSFET-Leistungsfaehigkeit,
| aber nicht linear, denn gerade hier ist ja die Werbeaussage jedes neuen
| MOSFETs. Wennn ihr was geeignetes nehmen wuerdet, wie IRF6635, der 180A
| gekuehlt vertraegt, wuerdet ihr niedrige Gate-Ladungswerte kennenlernen.
| Keine Ahnung, warum man den Chip nennt, und ihr macht noch dutzende an
| schlechteren Alternativvorschlaegen, und ja: Farnell hat ihn, nur bekomm
| ich keine dicken Kabel drangeloetet, und 35u Platine ist mir bei 50A zu
| duenn. Leider gibts den Chip in keinem anderen gehaeuse, und IRF2804 ist
| deutlich schlechter, Farnell hat ihn nicht, und die einzigen die hier
| rumliegen, IRF3205, sind sozusagen alte Garde, damit sollte man das
| Projekt erst gar nicht anfangen.

Was willst du denn? Das Gehäuse eignet sich ideal zur Wärmeableitung
und hat sicherlich ne niedrigere Induktivität als TO220.

Hab hier sogar einen rumliegen. Übrigens, NUR wegen dem Gehäuse.

- Henry

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www.ehydra.dyndns.info