Udo Piechottka wrote:
> Thorsten Wahn schrieb:
>> Mark Neugebauer schrieb:
>> Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der
>> Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme
zu
>> vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET
>
> Ein weiterer nicht zu vernachlässigender Aspekt ist der, dass die
> treibende Stufe nicht überlastet werden darf. Zum Umschaltzeitpunkt
> fliesst ein nahezu beliegig grosser Strom zur Umladung in die
> GS-Kapazität, der durch ebendiesen Vorwiderstand begrenzt wird.
>
Fuer den FET gelten oft ebenfalls Grenzen. Man will ja nicht peu a peu
das Gate abrauchen lassen.
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Gruesse, Joerg
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